【公司速览】扎根吉安，放眼全球。吉安市新三代科技有限公司作为一家专注于第三代半导体技术研发与产业化的高新技术企业，自成立以来，始终以“技术创新驱动绿色发展”为使命，致力于碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料的开发、功率器件的设计制造及系统解决方案的提供。 近日，公司重磅发布了新一代1200V系列碳化硅功率模块。该产品采用先进的沟槽栅极技术，导通电阻降低了15%，开关损耗进一步减少20%，在高温、高压、高频等严苛工况下仍能保持优异的稳定性。 【技术突破定义功率器件新高度】 第三代半导体材料以其宽禁带、高击穿电场、高热导率等先天优势，正加速替代传统硅基器件。吉安市新三代科技有限公司掌握6英寸和8英寸碳化硅单晶生长、衬底加工、外延生长及器件封装的全链条核心技术。其自主研发的碳化硅MOSFET芯片，可靠性通过车规级AEC-Q101认证，可满足新能源汽车主驱逆变器、车载充电机（OBC）及光伏储能系统的严格要求。 与此同时，公司在氮化镓功率器件领域也取得重大进展。推出的100V/150V增强型GaN HEMT系列，专为高频高效电源转换场景而设计，广泛应用于数据中心电源、无线充电及快充适配器等产品，能有效提升系统能效至98%以上，助力客户实现“双碳”目标。 【应用落地赋能千行百业】 1. 新能源汽车凭借碳化硅器件的高耐压和高开关频率，整车轻量化与续航里程显著提升。搭载公司产品的三合一电驱系统已在多家主流车企完成冬季标定测试，表现优越。 2. 光伏逆变器新一代SiC MOSFET使逆变器效率提升至99.2%，助力光伏电站度电成本再下探。 3. 5G与射频通信氮化镓射频器件的散热性能与功率密度优势，为5G基站小型化和高速传输提供了坚实支撑。 【智造升级质量源于每一个细节】 吉安市新三代科技有限公司全面导入IATF 16949质量管理体系，建立了千级无尘车间与全自动老化测试线。每一款出厂产品均通过动态高温阻断（HTRB）、栅极应力试验（HTGB）及温度循环测试等可靠性验证，确保在-55℃至175℃极端条件下稳定服役。 【展望未来共建生态，行稳致远】 面向未来，吉安市新三代科技有限公司将加大研发投入，建设第三代半导体芯片封测基地，同时与本地高校及科研院所共建联合实验室，加速人才培养及产业孵化。公司计划在未来三年内形成年产50万片功率模块的生产能力，进一步推动国产第三代半导体器件走向世界。 作为吉安市硬核科技的代表企业，吉安市新三代科技有限公司将继续站在技术革新的最前沿，以开放共赢的姿态与合作伙伴携手，为全球能源转型与智能制造贡献力量。