TKD 吉安市新三代科技有限公司发布新一代SiC功率模块，助力新能源产业绿色发展 近日，吉安市新三代科技有限公司（以下简称“新三代科技”）对外宣布，公司自主研发的新一代1200V SiC MOSFET功率模块完成车规级可靠性验证，进入批量交付阶段。作为吉安本土成长起来的科技企业，新三代科技紧盯第三代半导体技术赛道，积极推动区域电子信息技术产业向高端化、绿色化升级。 新闻动态第三代半导体赛道上的“吉安力量” 新三代科技立足江西吉安，深度融入井冈山经济技术开发区产业生态。近年来，公司围绕“第三代半导体材料—功率器件—系统模块”构建完整技术链条，持续加大研发投入。此次发布的碳化硅功率模块采用低寄生电感封装架构，可在高温、高频、高电压工况下稳定运行，适用于新能源汽车主驱逆变器、光伏储能PCS、充电桩等场景，标志着公司在车规级功率半导体领域迈上新台阶。 产品看点SiC与GaN双线布局 当前，新三代科技主要产品包括 - SiC MOSFET / 肖特基二极管大幅降低开关损耗，提升系统效率； - GaN HEMT 功率器件适合高频高功率密度应用，助力小体积快充与服务器电源； - 智能功率模块（IPM）集成驱动与保护电路，降低客户应用门槛。 其中，最新量产的1200V/40mΩ SiC MOSFET模块，采用氮化铝陶瓷基板与银烧结工艺，热阻更低、可靠性更高；650V增强型GaN HEMT则凭借极快的开关速度和极低的栅极驱动损耗，成为高频电源设计的优选方案。 技术优势高可靠、低损耗、全链条 第三代半导体以碳化硅、氮化镓为代表，拥有宽禁带、高击穿场强、高热导率等优异性能，能够突破传统硅基器件的物理极限。新三代科技在技术研发上坚持“正向设计+测试迭代” - 建立功率器件动态/静态参数测试实验室； - 覆盖 HTRB（高温反偏）、H3TRB（高温高湿反偏）、温度循环等可靠性项目； - 布局车规级 AEC-Q101 与 AQG 324 认证体系； - 提供从芯片选型、模块仿真到系统驱动、结构散热的联合开发服务。 通过这些技术投入，新三代科技不仅保证了产品的一致性和良率，也为客户缩短了从样品到量产的周期。 应用场景绿色能源与智能制造并进 新三代科技的产品已成为新能源系统中不可或缺的“电力心脏”。在新能源汽车中，SiC模块助力电驱系统效率提升，增加续航里程；在光伏逆变器和储能变流器中，GaN与SiC器件使整机体积更小、损耗更低；在工业电源、通信基站、数据中心备用电源等领域，新三代科技也提供定制化功率模块方案，帮助客户实现节能降耗和智能化升级。 展望未来 下一步，吉安市新三代科技有限公司将继续围绕“新三代科技”品牌，深耕第三代半导体产业链，扩大车规级功率模块产能，加强与高校、科研院所及上下游企业的协同创新。公司将立足江西、服务全国，以高可靠性功率半导体产品和一流技术服务，助力我国新能源产业发展和“双碳”目标实现。