TKD 吉安市新三代科技有限公司以技术创新驱动第三代半导体产业升级 在全球半导体产业加速变革的浪潮中，吉安市新三代科技有限公司凭借在第三代半导体材料、器件设计及系统应用领域的持续深耕，正逐步成为江西本土科技力量的一张崭新名片。2025年2月，该公司正式对外发布其最新一代高性能碳化硅（SiC）功率模块产品线，标志着企业在高端功率半导体领域的技术能力迈上新台阶。 立足吉安，布局第三代半导体核心赛道 吉安市新三代科技有限公司坐落于江西省吉安市，是一家专注于宽禁带半导体技术研发与产业化的高新技术企业。公司名称中的“新三代”，直接指向其核心战略方向——以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体技术。相较于传统硅基器件，第三代半导体具有更高的击穿电场强度、更低的导通电阻和更强的耐高温特性，是新能源电动车、光伏逆变器、5G基站、智能电网等领域不可或缺的核心元器件。 公司自成立以来，组建了一支由材料学、微电子学及电力电子等多学科背景人才组成的研发团队，并投资建设了符合车规级标准的中试生产线。此次发布的新一代碳化硅功率模块，正是其坚持“材料—器件—应用”全链条创新的代表性成果。 技术突破高效、高可靠性、高集成度 本次发布的新产品系列名称为“SD-M系列”高阶碳化硅MOSFET功率模块。该系列模块基于自研的第三代沟槽栅SiC MOSFET芯片技术，实现了多项关键指标突破 - 低导通电阻通过优化元胞结构和注入工艺，单位面积导通电阻较上一代降低约22%，可有效减少系统能耗，提升续航与能效。 - 高温稳定运行采用新型银烧结连接工艺及高导热氮化铝基板，使模块最高工作结温达175°C，适用于严苛的工业及车载环境。 - 高浪涌耐受能力内置电流检测和温度传感功能，配合优化的封装寄生参数设计，短路耐受时间提升至10微秒以上，显著提高系统安全冗余。 - 模块化集成设计SD-M系列提供半桥、全桥及三相桥等多种拓扑构型，支持多芯片并联扩容，方便客户快速适配不同功率等级的变流器系统。 据公司研发中心负责人介绍，该系列产品已完成AEC-Q101车规级可靠性验证及长达3000小时的HTRB（高温反偏）老化测试，目前已进入小批量客户送样阶段。 应用场景赋能新能源与未来通信 在新能源汽车领域，采用SD-M系列碳化硅模块的主驱逆变器，可将整机效率提升至99%以上，实现整车续航里程增加5%-8%；在光伏及储能系统中，该模块高达200kHz的开关频率有效降低磁性元件的体积和成本，提升系统的功率密度；面向5G/6G通信基础设施，其耐高温、低损耗特性使得基站电源模块可以更紧凑、更节能地持续工作。 吉安市新三代科技有限公司的市场负责人表示，公司正积极与国内多家头部整车厂和能源设备商展开联合测试，预计2025年下半年将逐步实现批量交付。未来，公司还将推出基于氮化镓（GaN）的射频器件与快充解决方案，进一步丰富产品矩阵。 政产学研协同，共筑产业新生态 吉安市及江西省地方政府对新三代科技的发展给予了高度关注与政策支持。依托当地电子信息产业园的集群优势，公司正规划建设二期封测基地，预计2026年建成投产后，碳化硅功率模块年产能将达到200万只。与此同时，公司已与南昌大学、江西理工大学等高校建立产学研合作实验室，围绕SiC衬底缺陷表征、GaN HEMT可靠性机制等前沿课题开展联合攻关。 在“双碳”目标与新质生产力发展方针的双重驱动下，吉安市新三代科技有限公司将继续秉持“以芯为核，以新致远”的使命，持续突破宽禁带半导体关键核心技术，为全球绿色能源转型和数字经济发展贡献“江西芯力量”。