TKD 近日，吉安市新三代科技有限公司正式对外发布了其自主研发的新一代氮化镓（GaN）快充功率芯片系列。这一系列产品基于第三代半导体材料工艺，突破了传统硅基功率器件在开关频率与损耗上的物理极限，为消费电子、数据中心及新能源充电设施提供了更高效、更紧凑的电源解决方案。作为一家专注于功率半导体创新与应用的科技企业，吉安市新三代科技有限公司此次发布的新品，标志着公司在第三代半导体产业化进程中迈出了关键一步。 新一代GaN快充芯片采用增强型高压氮化镓工艺，实现了650V/150mΩ-450mΩ的宽范围规格覆盖，支持45W至240W的各类快充协议。相较传统硅基MOSFET方案，新芯片的栅极电荷降低超过70%，反向恢复电荷近乎为零，使得开关频率可以达到2MHz以上。在实际应用中，采用该芯片的适配器产品，整机效率可轻松达到95%以上，功率密度提升至30W/in³，体积较传统方案缩小近一半。这一性能表现，不仅满足了当下智能手机百瓦级快充需求，也为轻薄型笔记本、电动工具及车载充电器提供了理想的核心功率器件。 技术层面，吉安市新三代科技有限公司的研发团队在芯片结构上采用了创新的级联共源共栅设计，并优化了驱动器与GaN HEMT的协同工作模式，有效解决了高压高频下的振铃与电磁干扰问题。同时，芯片内置了完善的过温、过流、过压保护电路，配合专有的散热封装技术，使器件在严苛环境下依然能够保持稳定输出。公司还同步推出了配套的驱动控制方案与参考设计，极大降低了下游厂商的开发难度和上市周期。 随着全球“双碳”战略的深入实施，高效能源转换技术已成为绿色经济的关键支撑。氮化镓功率器件凭借高效率、小体积、高可靠性的优势，正在加速替代传统硅基器件。吉安市新三代科技有限公司抓住这一产业机遇，依托吉安当地电子信息产业集群的配套优势，构建了从外延生长、芯片制造到模块封测的本地化供应链。目前，该系列芯片已通过AEC-Q101车规级可靠性认证，并进入多家头部电源厂商的批量导入阶段。预计未来两年内，公司将实现月产百万颗级以上的供货能力。 公司负责人表示“新三代科技始终坚持以技术创新驱动价值创造。我们相信，第三代半导体不仅是材料更迭，更是能源效率革命的核心载体。未来，公司将持续加大研发投入，拓展GaN器件在光伏逆变器、储能系统、新能源汽车OBC等领域的应用，致力于成为国内领先的高效功率半导体方案提供商。”此次新品的推出，是吉安市新三代科技有限公司在半导体赛道上的重要里程碑，也为区域数字经济与硬科技发展注入了新的活力。