TKD 近日，吉安市新三代科技有限公司（以下简称“新三代科技”）对外宣布，其自主研发的新一代车规级碳化硅（SiC）MOSFET功率器件完成批量验证，并进入规模化交付阶段。该系列产品主要面向新能源汽车电驱、光伏逆变器、储能变流器及高端工业电源等高功率密度应用场景，标志着公司在第三代半导体功率器件领域实现关键技术突破与产业化落地。 作为一家扎根江西吉安的高新技术企业，新三代科技始终专注于宽禁带半导体器件的设计与制造。此次发布的1200V/80mΩ SiC MOSFET产品，采用优化的沟槽栅结构和先进的薄片工艺，在保持高耐压的同时，将特征导通电阻降低了约20%。同时，器件通过改进的栅氧化层生长工艺，将长期工作可靠性显著提升，在175℃高温环境下仍能稳定运行，满足车规AEC-Q101严苛标准。 在产品技术路线方面，新三代科技采用IDM模式，逐步构建从芯片设计、晶圆制造到模块封装的完整闭环。其自主研发的碳化硅模块采用烧结银贴片与超声波键合技术，可有效降低热阻和寄生电感，提升系统开关速度。测试数据显示，相较传统硅基IGBT方案，采用新三代SiC模块的风冷逆变器整体损耗降低30%以上，系统体积缩小40%，为新能源装备小型化和高效化提供了有力支撑。 新三代科技技术负责人介绍“第三代半导体的核心价值在于将材料优势转化为系统能效。我们通过器件结构与封装工艺的双重创新，解决了碳化硅器件在大电流、高频开关场景下的过热和串扰问题。新一代产品在新能源汽车主驱逆变器实测效率达到99%以上，充分验证了其批量一致性。” 在产能布局上，吉安市新三代科技有限公司已于2024年完成二期产线建设，届时碳化硅功率器件年产能将提升至30万片（折合6英寸）。同时，公司正与国内多家头部车企和光伏厂商建立联合实验室，围绕下一代800V高压平台开展定制化开发。公司计划在未来两年内推出耐压1700V/3300V系列产品，进一步拓展轨道交通和智能电网市场。 此次技术突破不仅提升了吉安地区在第三代半导体产业链中的地位，也为我国功率半导体自主可控注入了新动能。新三代科技表示，将持续加大研发投入，推动碳化硅器件成本下探，让高效、可靠的先进功率半导体技术加速走向更广泛的工业与民用市场。