吉安市新三代科技有限公司以技术创新驱动半导体产业升级

吉安市新三代科技有限公司以技术创新驱动半导体产业升级 在江西吉安这片红色热土上，创新活力持续涌动。作为一家专注于第三代半导体材料与器件开发的高科技企业，吉安市新三代科技有限公司自成立以来，始终坚持“技术立企、质量为本”的发展理念，深耕碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）领域，逐步成长为区域半导体产业链中的关键力量。 聚焦三代半导体，攻克核心关键技术 第三代半导体材料凭借宽禁带、高击穿场强、高热导率等优势，是支撑新能源、5G通信、智能电网等产业变革的基础性技术。吉安市新三代科技有限公司紧跟国际技术前沿，组建了一支由材料学、微电子学、电力电子等多学科人才组成的研发团队，围绕SiC单晶生长、外延工艺、器件设计及封装可靠性等核心环节开展系统攻关。 公司重点突破了高均匀性SiC外延片生长技术，以及低导通电阻、高开关速度的功率MOSFET和肖特基二极管（SBD）制造工艺。在氮化镓领域，公司亦在射频器件与电力电子变换器方向取得阶段性成果，形成了具有自主知识产权的技术矩阵。目前，公司已申请多项发明专利及实用新型专利，并通过了ISO9001质量管理体系认证，产品性能指标达到国内先进水平。 产品应用广泛，助力绿色低碳转型 吉安市新三代科技有限公司的产品以第三代半导体功率器件为核心，涵盖650V至1200V规格的SiC MOSFET、SiC SBD，以及面向高频电源应用的GaN HEMT器件。这些产品广泛应用于电动汽车充电桩、光伏逆变器、储能变流器、工业电源、轨道交通牵引系统以及数据中心供配电等领域。 以新能源汽车充电桩为例，采用碳化硅功率器件后，系统开关损耗可降低约70%，整机效率提升至98%以上，同时显著减小散热器体积，降低运维成本。在光伏发电场景中，SiC器件支撑更高的直流母线电压，使逆变器功率密度大幅提升，为客户带来更优的度电成本。公司产品已获得多家头部能源与电源企业的批量验证，客户反馈良好。 强化产业协同，赋能区域制造升级 吉安市新三代科技有限公司不仅注重内部研发，更积极融入地方产业生态。公司依托吉安电子信息产业基地的优势，与上下游材料供应商、设备制造商、终端应用企业建立紧密合作，推动“材料—器件—模块—系统”全链条协同发展。同时，公司与省内外多家高校及科研院所开展产学研合作，联合建设半导体器件可靠性测试实验室，为技术迭代和人才培养提供支撑。 公司负责人表示，未来三年，吉安市新三代科技有限公司将持续加大研发投入，建设高标准的万级洁净车间与智能封装测试线，进一步扩充SiC功率模块产能，并布局GaN射频功率放大器等新产品线。企业以“成为国际一流的第三代半导体器件供应商”为愿景，致力于为全球客户提供高效、可靠的能源转换解决方案。 展望未来科技引领，行稳致远 当前，全球第三代半导体市场正进入高速增长期，国内政策持续加码，市场空间广阔。吉安市新三代科技有限公司将紧抓机遇，坚持创新驱动、品质优先，不断优化产品结构，拓展应用边界。在“双碳”目标的引领下，公司将以更先进的功率器件助力能源互联网建设，为江西乃至全国半导体产业高质量发展贡献“新三代”力量。