TKD 吉安市新三代科技有限公司发布新一代碳化硅功率器件，引领第三代半导体技术革新 近年来，随着新能源、电动汽车、5G通信等战略新兴产业的快速发展，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料逐步成为全球科技竞争的焦点。作为江西半导体领域的重要力量，吉安市新三代科技有限公司（以下简称“新三代科技”）始终致力于第三代半导体核心器件的研发与产业化。近日，公司正式对外发布新一代碳化硅功率器件系列产品，其性能指标达到行业领先水平，引发广泛关注。 深耕第三代半导体，打造技术新高地 吉安市新三代科技有限公司坐落于江西省吉安市，是一家集研发、设计、制造、销售于一体的高新技术企业。公司专注于第三代半导体碳化硅功率器件、模块及系统解决方案，产品广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、工业电源、智能电网等领域。自成立以来，新三代科技依托自主研发体系，持续攻克碳化硅器件设计、制造工艺、封装测试等关键技术，逐步构建起完整的产业链能力。 此次发布的新一代碳化硅功率器件，采用先进的平面栅极工艺与优化的元胞结构设计，在耐压等级、导通电阻、开关速度及高温稳定性等核心参数上均有显著提升。与传统硅基器件相比，新一代产品能够大幅降低能量损耗，提高系统功率密度，为终端客户带来更高效、更可靠的能源转换体验。 核心技术突破，解决行业痛点 碳化硅器件在高压、高频、高温环境下表现出优异的物理特性，但其制造工艺复杂，良率与成本控制一直是产业化中的难点。吉安市新三代科技有限公司通过多轮技术攻关，成功解决了碳化硅衬底缺陷控制、栅氧界面态密度降低等关键技术难题，实现了高性能器件的稳定量产。 具体而言，本次发布的新一代碳化硅MOSFET产品具有以下优势 - 更高耐压 额定电压覆盖650V至1200V，满足主流应用场景要求； - 更低损耗 单位面积导通电阻降低约15%，开关损耗减少20%以上； - 更强可靠性 通过业界严苛的HTRB（高温反偏）、H3TRB（高温高湿反偏）等可靠性测试，长期稳定性表现优异； - 更好散热 采用优化的芯片布局与先进封装技术，热阻显著降低，支持更高工作结温。 这些技术突破不仅提升了产品性能，也为新能源汽车主驱逆变器、光伏储能变流器、大功率充电桩等应用提供了更高性价比的国产化替代方案，有效缓解了高端功率器件依赖进口的局面。 助力绿色低碳，市场前景广阔 在“双碳”战略持续推进的背景下，第三代半导体产业迎来了前所未有的发展机遇。碳化硅功率器件的高效节能特性能够显著降低电能转换损耗，减少碳排放，是构建绿色能源体系的关键基础元器件。吉安市新三代科技有限公司紧抓市场机遇，积极扩大产能，满足快速增长的市场需求。 公司负责人表示，新一代碳化硅功率器件目前已获得多家新能源龙头企业测试认证，并开始小批量供货。未来，新三代科技将继续加大研发投入，加快8英寸碳化硅产线建设，推动产品向更高电压等级、更高集成度方向发展。同时，公司还将深化与产业链上下游企业的协同创新，共同构建第三代半导体产业生态圈。 立足江西，辐射全国，迈向世界 作为吉安市重点扶持的科技创新企业，新三代科技的发展得到了地方政府的大力支持。吉安市积极布局新材料、电子信息等战略性新兴产业，为企业提供了优质的营商环境和政策配套。新三代科技也将以此次新品发布为契机，进一步发挥自身技术优势，助力江西打造具有全国影响力的第三代半导体产业基地。 展望未来，吉安市新三代科技有限公司将继续秉承“创新驱动、务实进取”的发展理念，深耕第三代半导体领域，不断推出更具竞争力的产品和解决方案，为中国半导体产业链的安全与自主可控贡献更多力量。