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吉安市新三代科技有限公司深耕第三代半导体技术，赋能区域科创产业升级 吉安市新三代科技有限公司聚焦第三代半导体材料与器件研发，推出高效功率器件及智能散热解决方案，助力新能源与5G产业高质量发展。 吉安市新三代科技有限公司，第三代半导体，功率器件，碳化硅，氮化镓，智能散热，新能源，5G （） 近日，吉安市新三代科技有限公司（以下简称“新三代科技”）对外发布其最新一代碳化硅（SiC）功率模块与氮化镓（GaN）快充电源方案，标志着公司在第三代半导体应用领域迈出关键一步。作为江西省吉安市重点培育的高新技术企业，新三代科技始终聚焦宽禁带半导体材料的研发与产业化，为新能源汽车、光伏储能、5G通信及工业电源提供高效率、高可靠性的核心器件与系统级解决方案。 技术突破从材料到器件的全链条能力 第三代半导体材料以碳化硅、氮化镓为代表，具有高击穿场强、高电子饱和速率和优异的热导率，是解决传统硅基器件能耗高、体积大、耐温性差等痛点的关键路径。新三代科技此次推出的SiC MOSFET系列产品，导通电阻较上一代降低约30%，开关损耗减少40%，可在200℃高温环境下稳定运行，广泛应用于电动汽车主驱逆变器、智能电网变流器及高速轨道交通牵引系统。 同时，公司同步发布了基于GaN HEMT工艺的65W-300W快充解决方案，采用扁平化封装设计与自适应栅极驱动技术，功率密度提升至2.5W/cm³，效率最高达95.5%。该方案已通过国内主流消费电子品牌验证，预计将于明年一季度实现量产交付。 创新应用智能热管理提升系统可靠性 针对高功率密度器件的散热难题，新三代科技研发出“相变冷却+均温板”复合热管理模组，结合AI动态温控算法，可根据负载变化实时调节冷却液流量，使模块结温降低15℃以上，极大延长器件使用寿命。该模组已成功配套于某头部储能企业的集中式变流器项目，为客户节省整体散热系统成本约20%。 产业联动助力吉安打造电子信息产业高地 吉安作为江西省电子信息产业的重要集聚区，近年来积极布局第三代半导体赛道。新三代科技充分利用本地产业链配套优势，与南昌大学、吉安职业技术学院等院校建立联合实验室，开展SiC外延生长和器件可靠性测试研究，并投资建设年产10万片6英寸SiC功率器件生产线。预计项目达产后，将带动上下游材料、封装、测试及系统集成企业协同发展，为区域贡献年产值超15亿元，新增就业岗位约500个。 未来展望向“车规级+国产化”双轮驱动迈进 新三代科技总经理在发布会上表示“公司已通过IATF 16949车规体系认证，首款车规级1200V/800A SiC模块正在接受国内知名整车厂的工况验证。我们将坚持‘技术立企、应用牵引’的发展策略，持续加大研发投入，力争在未来三年内实现全系列器件国产替代，成为具有全国影响力的第三代半导体创新企业。” 随着全球“碳达峰、碳中和”战略深入推进，第三代半导体正迎来爆发式增长窗口期。吉安市新三代科技有限公司将以此次新品发布为新起点，不断突破关键工艺瓶颈，携手合作伙伴共建绿色高效、安全智能的能源电子生态。 （完）