TKD 吉安市新三代科技有限公司第三代半导体技术引领产业创新升级 在“碳达峰、碳中和”战略与数字经济加速融合的背景下，第三代半导体材料以高击穿电场、高导热率、低损耗等优势，成为全球半导体产业竞争的制高点。作为吉安高新区重点培育的高科技企业，吉安市新三代科技有限公司（以下简称“新三代科技”）聚焦碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）功率器件的研发与产业化，凭借自主创新与产线升级，迅速成为区域半导体产业链中的关键一环。 技术与产品并重，构建核心竞争力 近日，新三代科技宣布其新一代1200V SiC MOSFET系列产品完成批量验证，正式进入量产交付阶段。该产品采用优化后的沟槽栅极结构，导通电阻比上一代降低约20%，开关损耗减少30%，可显著提升系统效率与可靠性。产品主要应用于新能源汽车电驱系统、光伏逆变器、储能变流器以及高端工业电源等场景。 技术团队表示，公司已掌握从单晶衬底外延、器件设计、工艺制造到模块封测的完整技术链条，并引进国内领先的6英寸及8英寸SiC工艺产线，实现月产能突破5000片晶圆。同时，公司自主研发的GaN HEMT产品也在快充和5G通信射频领域取得突破，与多家头部客户达成长期供货协议。 深耕产业需求，赋能新能源与智能制造 当前，新能源汽车800V高压平台的快速普及，对功率器件的耐压等级、散热能力与安全性提出了更高要求。新三代科技的SiC MOSFET系列产品正是针对这一痛点，提供高效、紧凑且抗辐射的解决方案。在光伏领域，公司产品助力客户将逆变器效率提升至99%以上，从而降低度电成本，加速清洁能源的大规模部署。 除了新能源市场，新三代科技还将产品延伸至智能电网、工业电机驱动以及轨道交通。公司与江西及周边省份的多家装备制造企业签订联合开发协议，共同推动“国产替代”落地，打造自主可控的功率半导体供应链。 以创新平台为依托，助力区域科技生态 吉安市新三代科技有限公始终强化自主研发投入，建有省级第三代半导体工程技术研究中心，与南昌大学、电子科技大学等高校共建联合实验室，在碳化硅深缺陷调控、高温封装可靠性等方向取得多项核心专利。公司负责人表示“我们希望通过持续的技术创新与量产经验积累，推动吉安半导体产业集群建设，为江西数字经济注入新动能。” 展望未来，推动高质量发展 随着全球半导体产业向宽禁带材料转型，第三代半导体已成为衡量一个国家或地区科技创新实力的重要标志。吉安市新三代科技有限公司将坚持“技术立企、品质为本”的发展理念，持续扩大SiC高端产品产能，积极布局GaN功率集成芯片及智能功率模块，并计划在2025年建成覆盖设计、制造、封测及应用解决方案的一体化产业基地。 未来，新三代科技不仅要做吉安制造的“新名片”，更将携手产业链伙伴，构建绿色、高效、智能的功率电子生态，为中国半导体产业的自主、安全、高效发展贡献“第三代”力量。